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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Wang ZJ
;
Qu SC
;
Zeng XB
;
Liu JP
;
Zhang CS
;
Shi MJ
;
Tan FR
;
Wang ZG
;
Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZJ
;
Qu SC
;
Zeng XB
;
Liu JP
;
Zhang CS
;
Tan FR
;
Jin L
;
Wang ZG
;
Qu SC Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Zhang, CS
;
Shi, MJ
;
Tan, FR
;
Wang, ZG
;
Liu, JP
;
Hou, YB
;
Teng, F
;
Feng, ZH
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Liu, JP
;
Zhang, CS
;
Tan, FR
;
Jin, L
;
Wang, ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Yang W
;
Chang K
;
Zhang SC
;
Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
徐波
;
张春林
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Zhang, XQ
;
Wang, ZG
;
Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Pan YW
;
Qu SC
;
Dong SS
;
Cui QL
;
Zhang WW
;
Liu XZ
;
Liu J
;
Liu BB
;
Gao CX
;
Zou GT
;
Pan YW,Jilin Univ,Natl Lab Superhard Mat,Changchun 130023,Peoples R China.
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浏览/下载:968/369
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ZY
;
Meng XQ
;
Jin P
;
Li CM
;
Qu SC
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1025/369
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jin P
;
Meng XQ
;
Zhang ZY
;
Li CM
;
Qu SC
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Wang ZG
;
Li YG
;
Zhang CZ
;
Pan SH
;
Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12