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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:徐波
第一作者
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10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Liu JP
;
Wang ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
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浏览/下载:1599/365
  |  
提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Zhang HY
;
Zhou GY
;
Li TF
;
Liu JQ
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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浏览/下载:1621/395
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Li TF
;
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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浏览/下载:1431/281
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提交时间:2011/07/05
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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浏览/下载:1535/234
  |  
提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1705/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
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浏览/下载:1561/216
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提交时间:2009/06/11
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
徐波
;
张春林
;
王占国
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浏览/下载:1280/183
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu HY
;
Zhou W
;
Ding D
;
Jiang WH
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:917/249
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
梁基本
;
徐波
;
龚谦
;
韩勤
;
周伟
;
姜卫红
;
刘会云
;
王占国
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浏览/下载:1102/306
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Wu J
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhou W
;
Sun ZZ
;
Li YF
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:884/244
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提交时间:2010/08/12