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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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光子晶体啁啾波导慢光边发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  郑婉华;  邢名欣;  任 刚;  刘安金;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  刘文宝;  孙 苋;  赵德刚;  刘宗顺;  张书明;  朱建军;  杨 辉
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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang TT (Wang Ting-Ting);  Li WL (Li Wen-Long);  Chen ZH (Chen Zhang-Hui);  Miao L (Miao Ling);  Chen, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghuichen88@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen Q (Wen Qian);  Zhang RF (Zhang Rufan);  Qian WZ (Qian Weizhong);  Wang YR (Wang Yuran);  Tan PH (Tan Pingheng);  Nie JQ (NieJingqi);  Wei F (Wei Fei);  Qian, WZ, Tsinghua Univ, Beijing Key Lab Green Chem React Engn & Technol, Dept Chem Engn, Beijing 100084, Peoples R China. E-mail Address: qianwz@mail.tsinghua.edu.cn;  wf-dce@tsinghua.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang GH (Tang Guang-Hua);  Xu B (Xu Bo);  Jiang;  LW (Jiang Li-Wen);  Kong JX (Kong Jin-Xia);  Kong;  N (Kong Ning);  Liang DC (Liang De-Chun);  Liang P (Liang Ping);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Jin P (Jin Peng);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn
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InAs/GaAs量子点材料生长及双区结构激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  姜立稳
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