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提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人:  石明吉;  曾湘波;  张长沙;  刘石勇;  彭文博;  肖海波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang GH (Tang Guang-Hua);  Xu B (Xu Bo);  Jiang;  LW (Jiang Li-Wen);  Kong JX (Kong Jin-Xia);  Kong;  N (Kong Ning);  Liang DC (Liang De-Chun);  Liang P (Liang Ping);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Jin P (Jin Peng);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Yang T (Yang Tao);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Gu;  YX (Gu Yong-Xian);  Liu Y (Liu Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhang S (Zhang Shuang);  Liu WB (Liu Wen-Bao);  Hao XP (Hao Xiao-Peng);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Wang H (Wang Hui);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Yang H (Yang Hui);  Wei L (Wei Long);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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