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| 一种生长可控量子点和量子环的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011 发明人: 赵 暕; 陈涌海; 王占国; 徐 波 Adobe PDF(1161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1434/232  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊 Adobe PDF(275Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1481/232  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993 发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/193  |  提交时间:2010/03/19 |
| 单光路量子效率测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝 Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1484/211  |  提交时间:2010/03/19 |
| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1556/250  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1335/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| III-V族低维半导体材料偏振相关的光学性质 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 汤晨光 Adobe PDF(1853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1177/44  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen W; Xing MX; Ren G; Wang K; Du XY; Zhang YJ; Zheng WH; Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:999/317  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xu Y; Hu H; Zhuang W; Song G; Li Y; Chen L; Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xuyun@red.semi.ac.cn Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/348  |  提交时间:2010/03/08 |