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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [28]
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刘志强 [3]
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共28条,第1-10条
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发表日期:2008
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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70
75
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85
90
95
100
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WOS被引频次升序
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一种组合式聚光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
崔敏
;
王彦硕
;
白一鸣
;
吴金良
;
黄添懋
Adobe PDF(473Kb)
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浏览/下载:1622/255
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提交时间:2009/06/11
基于部分局部互连结构的FPGA逻辑块
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周华兵
;
倪明浩
;
陈陵都
;
郑厚植
Adobe PDF(640Kb)
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收藏
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浏览/下载:1428/178
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提交时间:2009/06/11
GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王立彬
;
王良臣
Adobe PDF(496Kb)
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浏览/下载:1453/189
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提交时间:2009/06/11
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王立彬
;
伊晓燕
;
刘志强
;
陈宇
;
郭德博
;
王良臣
Adobe PDF(462Kb)
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收藏
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浏览/下载:1679/265
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提交时间:2009/06/11
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(1055Kb)
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浏览/下载:1343/178
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提交时间:2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
范海波
;
李成明
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(843Kb)
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浏览/下载:1286/186
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提交时间:2009/06/11
一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
宋国峰
;
高建霞
;
郭宝山
;
陈良惠
Adobe PDF(628Kb)
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浏览/下载:1121/187
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提交时间:2009/06/11
三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
黄北举
;
刘金彬
;
顾明
;
刘海军
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浏览/下载:1389/220
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo B
;
Song G
;
Chen L
;
Guo, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gbs@semi.ac.cn
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浏览/下载:1046/236
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He, XW
;
Shen, B
;
Chen, YH
;
Zhang, Q
;
Han, K
;
Yin, CM
;
Tang, N
;
Xu, FJ
;
Tang, CG
;
Yang, ZJ
;
Qin, ZX
;
Zhang, GY
;
Wang, ZG
;
He, XW, Peking Univ, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesosco Ph, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn
;
yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1270/281
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提交时间:2010/03/08