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掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  侯康平;  杨华;  梁松;  王圩
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半导体激光器蝶形封装器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王欣;  谢亮;  袁海庆;  祝宁华
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电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆
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利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun JY (Sun Jiayin);  Chen J (Chen Jing);  Wang X (Wang Xi);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu W (Liu Wei);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Yang H (Yang Hui);  Sun, JY, No 865,Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, HL (Zhu, H. L.);  Xie, HY (Xie, H. Y.);  Zhao, LJ (Zhao, L. J.);  Zhou, F (Zhou, F.);  Wang, W (Wang, W.);  Yang, H, Nanyang Technol Univ, Singapore 639798, Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Zhu JJ;  Jiang S;  Yang H;  Wang JF;  Liu, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuwei@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, W (Liu, W.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, H.);  Liu, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuwei@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Chen J;  Wang X;  Wang J;  Liu W;  Zhu J;  Yang H;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiayinsun@mail.sim.ac.cn
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