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| 一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张攀峰; 吴洁君; 胡卫国; 刘祥林 Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮 Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1512/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯文; 潘教青; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(1004Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1165/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 潘教青; 赵谦; 王圩; 朱洪亮 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵谦; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵谦; 潘教清; 周帆; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1808/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 潘教清; 赵谦; 王圩 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/133  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao Q; Pan JQ; Zhang J; Zhou GT; Wu J; Zhou F; Wang BJ; Wang LF; Wang W; Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/293  |  提交时间:2010/04/11 |
| 半导体光电子功能材料集成技术平台 成果 2006 主要完成人: 王圩; 朱红亮; 赵玲娟; 周帆; 潘教青; 王宝军; 边静 收藏  |  浏览/下载:2737/0  |  提交时间:2010/04/13 电子功能材料 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Feng W (Feng W.); Ding Y (Ding Y.); Pan JQ (Pan J. Q.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Zhu HL (Zhu H. L.); Wang W (Wang W.); Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wfeng@semi.ac.cn Adobe PDF(140Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1100/432  |  提交时间:2010/04/11 |