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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [19]
作者
陈良惠 [2]
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文献类型
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2005 [19]
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共19条,第1-10条
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
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85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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发表日期降序
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作者升序
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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张南红
;
王晓亮
;
曾一平
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
李晋闽
Adobe PDF(302Kb)
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浏览/下载:1461/213
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提交时间:2009/06/11
生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
肖红领
;
王晓亮
;
王军喜
;
张南红
;
刘宏新
;
曾一平
Adobe PDF(404Kb)
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浏览/下载:1241/177
  |  
提交时间:2009/06/11
倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨辉
;
张书明
;
王良臣
Adobe PDF(555Kb)
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浏览/下载:891/139
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提交时间:2009/06/11
偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王书荣
;
王圩
;
刘志宏
;
张瑞英
;
朱洪亮
;
王鲁蜂
Adobe PDF(467Kb)
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浏览/下载:1190/163
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提交时间:2009/06/11
光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵玲娟
;
张靖
;
朱洪亮
;
王圩
;
周帆
;
王宝军
;
边静
;
王鲁峰
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浏览/下载:1415/173
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提交时间:2009/06/11
渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王书荣
;
王圩
;
朱洪亮
;
张瑞英
;
边静
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浏览/下载:1437/181
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, GF
;
Li, SS
;
Liang, JQ
;
Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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浏览/下载:581/113
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang GF
;
Li SS
;
Liang HQ
;
Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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浏览/下载:805/277
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang GF
;
Liang JQ
;
Zhang GE
;
Yan QW
;
Zhang, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang2001@yahoo.com
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浏览/下载:735/261
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘超
;
张尚剑
;
谢亮
;
祝宁华
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浏览/下载:844/371
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提交时间:2010/11/23