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液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  徐自亮;  田金法;  吴金良;  陈诺夫
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Sun BQ;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Photoluminescence  Band Offset  Band Bowing Coefficient  Localized Exciton  Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Temperature  Gaasn  
Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth 会议论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 08-11, 2000
作者:  Liu GL;  Wang W;  Zhang JY;  Chen WX;  Xu GY;  Zhang BJ;  Zhou F;  Wang XJ;  Zhu HL;  Liu GL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Selective Area Growth  Multi-quantum-well  Distributed Bragg Reflector Laser  Mocvd  Tunable Laser  Epitaxy  
VCSEL based optoelectronic multiple chip modules 会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:  Chen HD;  Liang K;  Du Y;  Huang YZ;  Tiang J;  Ma XY;  Wu RH;  Li SY;  Guo WL;  Xu GJ;  Wang Y;  Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Vcsel  Photodetector  Cmos  Mcm  Optoelectronic Integration  Optical Interconnects  Surface-emitting Lasers  Mqw Modulators  Integration  Circuits  Vlsi  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi W;  Fang CS;  Xu ZL;  Pan QW;  Zhao X;  Gu QT;  Xu D;  Yu JZ;  Shi W,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Liu FQ;  Xu B;  Lin F;  Wu J;  Jiang WH;  Ding D;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Ye XL;  Xu B;  Xu HZ;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Fang W;  Wang DJ;  Luan F;  Xu SF;  Qian Y;  Zhu X;  Ma XY;  Zhang B,Peking Univ,Dept Phys,Beijing 100871,Peoples R China.
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