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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [9]
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1999 [9]
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发表日期:1999
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
InGaas Gaas Quantum Dots
Infrared Absorption
Self-organization
X-ray-diffraction
Islands
Transitions
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Liu Y
;
Xiao XR
;
Zeng YP
;
Pan D
;
Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Chem,Ctr Mol Sci,Lab Photochem,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Li HX
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Kong MY
;
Wang XL
;
Pan D
;
Zeng YP
;
Wang J
;
Ge WK
;
Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12