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Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT 会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:  Zhang XH;  Yang YF;  Wang ZG;  Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu BY;  Sheng WD;  Wang XH;  Wang J;  Gu BY CCASTWORLD LABPOB 8730BEIJING 100080PEOPLES R CHINA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XH(张兴宏);  Yang YF(杨玉芬);  Wang ZG(王占国)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴宏;  杨玉芬;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK(段树坤);  Teng XH(滕学会);  Li GH(李国华);  Wang YT(王玉田);  Hang Y(杭寅)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  汪度;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴宏;  杨玉芬;  王占国
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