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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, L;  Motohisa, J;  Tomioka, K;  Takeda, J;  Fukui, T;  Geng, MM;  Jia, LX;  Zhang, L;  Liu, YL;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Optoelect Syst, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang, LY;  Lin, T;  Zhou, WZ;  Li, DL;  Gao, HL;  Zeng, YP;  Guo, SL;  Yu, GL;  Chu, JH;  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, GH;  Zhou, GH;  Zhou, GH, Hunan Normal Univ, Dept Phys, Changsha 410081, Hunan, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghzhou@hunnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan, YF;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao, JL;  Huang, YZ;  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jlxiao@semi.ac.cn;  yzhuang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1170/309  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XJ;  Yang W;  Chang K;  Xia JB;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@semi.ac.cn
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Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Ma, XY;  Zhong, L;  Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Laser Diodes  Laser Bar  Stacks  High Power  Power Conversion Efficiency  Reliability  Packaging  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭宝山;  宋国锋;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu Meng;  Lin Feng;  Yang Fuhua;  Cao Yanming
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