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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ldl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei JS (Wei J. S.);  Wang RZ (Wang R. Z.);  Yuan RY (Yuan R. Y.);  Song XM (Song X. M.);  Wang B (Wang B.);  Yan H (Yan H.);  Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100022, Peoples R China. E-mail: wrz@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Min C (Cui Min);  Zhang WJ (Zhang Weija);  Wang TM (Wang Tianmin);  Jin F (Jin Fei);  Li GH (Li Guohua);  Ding K (Ding Kun);  Min, C, Beihang Univ, Sch Sci, Ctr Condensed Phys & Mat Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xinzhu_hust@126.com;  weijia_zhang@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su F. H.);  Liu YF (Liu Y. F.);  Chen W (Chen W.);  Wang WJ (Wang W. J.);  Ding K (Ding K.);  Li GH (Li G. H.);  Joly AG (Joly A. G.);  McCready DE (McCready D. E.);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: fhsu@red.semi.ac.cn;  wchen@nomadics.com;  ghli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Djurisic AB (Djurisic A. B.);  Beling CD (Beling C. D.);  Cheung CK (Cheung C. K.);  Cheung CH (Cheung C. H.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y (Xu Ying);  Hu ZH (Hu Zhihua);  Diao HW (Diao Hongwei);  Cai Y (Cai Yi);  Zhang SB (Zhang Shibin);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Hao HY (Hao Huiying);  Liao XB (Liao Xianbo);  Fortunato E (Fortunato Elvira);  Martins R (Martins Rodrigo);  Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, Monte Caparica, P-2829516 Caparica, Almada, Portugal. E-mail: zhu@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Shi SL (Shi S. L.);  Beling CD (Beling C. D.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Wang, RX, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Zhao C;  Yu LK;  Ye XL;  Xu B;  Chen YH;  Wang ZG;  Sun, J, Lund Univ, SE-22100 Lund, Sweden. E-mail: albertjefferson@sohu.com
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