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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [44]
作者
王兵 [1]
伊晓燕 [1]
李志聪 [1]
梁萌 [1]
文献类型
专利 [42]
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2011 [1]
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中文 [9]
出处
ADVANCED M... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, Yuqing
;
Gao, Yaqi
;
Liu, Xiaoting
;
Ma, Jing
;
Chen, Buhang
;
Xie, Qin
;
Gao, Xin
;
Zheng, Liming
;
Zhang, Yan
;
Ding, Qingjie
;
Jia, Kaicheng
;
Sun, Luzhao
;
Wang, Wendong
;
Liu, Zhetong
;
Liu, Bingyao
;
Gao, Peng
;
Peng, Hailin
;
Wei, Tongbo
;
Lin, Li
;
Liu, Z.F.
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提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王兵
;
李志聪
;
姚然
;
梁萌
;
闫发旺
;
王国宏
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浏览/下载:1410/194
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提交时间:2011/08/16
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:2010/220
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提交时间:2011/08/31
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1589/264
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1631/288
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提交时间:2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1978/288
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提交时间:2011/08/31
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:1656/153
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提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1586/280
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提交时间:2011/08/31
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1615/285
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提交时间:2011/08/31
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:1584/259
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提交时间:2011/08/31