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4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  申占伟
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4h-sic  场效应晶体管  No退火  Umosfet  欧姆接触  槽角圆弧化  米勒电容  
CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
Adobe PDF(2279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1166/20  |  提交时间：2017/06/01
第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
GaAs基InSb薄膜MBE外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  赵晓蒙
Adobe PDF(4176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：878/47  |  提交时间：2017/06/01
中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  柴小力
Adobe PDF(3171Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1497/66  |  提交时间：2017/05/31
窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  Dbr光栅