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4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  郑柳
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4h-sic  肖特基二极管  双阻终端扩展  欧姆接触  可靠性  Tmbs  4h-sic/sio2界面  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Zuo YH;  Wang W;  Tao YL;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Zhang SG;  Tan HR;  Ying J;  Yin ZG;  Zhu QS;  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, JL;  Gaspar, J;  Paul, O;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: paul@imtek.de
Adobe PDF(815Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1874/778  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JG (Zhang Jian-Guo);  Wang XX (Wang Xiao-Xin);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jianguochang@yahoo.com
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Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:  Ying-Qiang X;  Zhang W;  Niu ZC;  Wu RG;  Wang QM;  Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Sio2 Encapsulation  Rapid-thermal-annealing  Nitrogen Reorganization  Molecular-beam Epitaxy  Optical-properties  Mu-m  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2  
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Wang QM;  Shi HZ;  Li GH;  Zhang LD;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ag/sio2 Nanocomposite Film  Plasmon Resonance Absorption  Mie Theory  Surface Resonance State  Quantum Size Effect  Image-potential States  Optical-properties  Surfaces  Lifetimes  Particles  Electron  Ag  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Liu YL;  Wang QM;  Shi HZ;  Li GH;  Zhang LD;  Yang L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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