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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv YJ;  Lin ZJ;  Zhang Y;  Meng LG;  Luan CB;  Cao ZF;  Chen H;  Wang ZG;  Lin, ZJ, Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China. linzj@sdu.edu.cn
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In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:  Li DZ;  Huang CJ;  Cheng BW;  Wang HJ;  Yu Z;  Zhang CH;  Yu JZ;  Wang QM;  Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  Sige  Refractive High Energy Electron Diffraction  Tansmission Electron Microscopy  Double Crystal X-ray Diffraction  Mobility 2-dimensional Electron  Critical Thickness  Strained Layers  Ge  Relaxation  Epilayers  Si1-xgex  Gesi/si  Gases