中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WJ;  Jiang B;  Chen W;  Liu AJ;  Wang YF;  Ma CAL;  Xing MX;  Zheng WH;  Zheng, WH, CAS, Nano optoelect Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. whzheng@semi.ac.cn
Adobe PDF(1197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1565/339  |  提交时间：2011/07/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(203Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1415/438  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Q;  Zhang JC;  Huang Y;  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Li DY;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou CL;  Guo LP;  Jia QJ;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1251/348  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Cheng BW;  Zuo YH;  Morrison AP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Univ Coll Cork, Dept Elect & Elect Engn, Coll Rd, Cork, Ireland. E-mail: cbli1104@yahoo.com.cn
Adobe PDF(66Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：766/260  |  提交时间：2010/04/11
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1773/261  |  提交时间：2010/11/15
Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(552Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1000/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：994/295  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang ZL;  Li GH;  Liu NZ;  Zhu ZM;  Han HX;  Ding K;  Ge WK;  Sou IK;  Fang ZL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(90Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1198/262  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng SR;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Wang YQ;  Kong GL;  Liao XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(283Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：960/268  |  提交时间：2010/08/12
A model of dislocations at the interface of the bonded wafers 会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:  Han WH;  Yu JZ;  Wang LC;  Wei HZ;  Zhang XF;  Wang QM;  Han WH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(76Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1934/266  |  提交时间：2010/10/29
Wafer Bonding  Heteroepitaxy  Lattice Mismatch  Edge-like Dislocations  Thermal Stress  60 Degrees Dislocation Lines  Gaas