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| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 孔祥挺
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Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
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作者: Xiangting Kong; Renrong Liang; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Mengqi Wang; Honggang Liu; Jing Wang; Wei Wang; Jiaoqing Pan
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li ShiYan; Zhou XuLiang; Kong XiangTing; Li MengKe; Mi JunPing; Bian Jing; Wang Wei; Pan JiaoQing
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shiyan Li; Xuliang Zhou; Xiangting Kong; Mengke Li; Junping Mi; Jing Bian; Wei Wang; Jiaoqing Pan
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: XiangTing Kong; XuLiang Zhou; ShiYan Li; LiJun Qiao; HongGang Liu; Wei Wang; JiaoQing Pan
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan
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