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| Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 赵丹梅
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Gan Mocvd |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei Liu; De Gang Zhao; De Sheng Jiang; Ping Chen; Zong Shun Liu; Jian Jun Zhu; Xiang Li; Ming Shi; Dan Mei Zhao; Jian Ping Liu; Shu Ming Zhang; Hui Wang; Hui Yang
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| 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人: 赵丹梅; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
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