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具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai XD;  Wang EG;  Yu J;  Yang H;  Bai XD,Chinese Acad Sci,Inst Phys,State Key Lab Surface Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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晶圆级光刻机键合方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  毛旭;  赵永梅;  杨香;  黄亚军;  季安;  白云霞;  王晓东;  杨富华
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