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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao DG ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Guo X ; Liu ZS; Zhang SM ; Wang YT ; Yang H; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun X; Jiang DS ; Liu WB; Zhu JH ; Wang H; Liu ZS; Zhu JJ ; Wang YT ; Zhao DG ; Zhang SM ; You LP; Ma RM; Yang H; Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn; dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu WB; Zhao DG ; Sun X; Zhang S; Jiang DS ; Wang H; Zhang SM ; Liu ZS; Zhu JJ ; Wang YT ; Duan LH; Yang H; Liu WB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wbliu@semi.ac.cn; dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang H; Wang LL ; Sun X; Zhu JH ; Liu WB; Jiang DS ; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS; Wang YT ; Zhang SM ; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陈亮 ; 亢勇; 赵德刚 ; 李向阳; 龚海梅
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| 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高铝镓氮材料质量的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚 ; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao DG ; Jiang DS ; Zhu JJ ; Liu ZS; Zhang SM ; Liang JW; Yang H; Li X; Li XY ; Gong HM; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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