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High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Lian P;  Wang LM;  Zhang XY;  Yang YL;  Zhang HQ;  Wang GH;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algainp  Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈弘达;  张以谟;  郭维廉;  吴荣汉;  高文智;  陈志标;  杜云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张益;  潘钟;  杜云;  陈志标;  郑联喜;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐遵图;  徐俊英;  杨国文;  张敬明;  殷涛;  赵红东;  廉鹏;  陈良惠;  沈光地
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