中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(334Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1895/335  |  提交时间：2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾凡平;  韩培德;  高利朋;  冉启江;  毛雪;  赵春华;  米艳红
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1450/437  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Xiu XQ;  Li Y;  Fu DY;  Lu H;  Chen P;  Han P;  Zheng YD;  Tang CG;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang H;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1499/430  |  提交时间：2010/03/08
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵超;  徐波;  陈涌海;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1348/225  |  提交时间：2009/06/11
一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(765Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1260/191  |  提交时间：2009/06/11
一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1146/174  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, C;  Chen, YH;  Xu, B;  Tang, CG;  Wang, ZG;  Ding, F;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：926/288  |  提交时间：2010/03/08
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1746/355  |  提交时间：2010/03/09
Pockels Effect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LJ;  Zhu LF;  Zhao YH;  Liu BG;  Shi LJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bgliu@mail.iphy.ac.cn
Adobe PDF(517Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1108/356  |  提交时间：2010/03/08
具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里-珀罗滤波器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  左玉华;  蔡晓;  赵雷;  时文华;  成步文;  余金中;  王启明
Adobe PDF(1023Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1255/160  |  提交时间：2009/06/11