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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮 Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1507/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯文; 潘教青; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(1004Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1160/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 适用于疏波分复用的双波长串联分布反馈激光器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 谢红云; 王圩; 王鲁峰; 边静 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1514/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆 Adobe PDF(1093Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1267/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李宝霞; 张靖; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1203/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 潘教青; 赵谦; 王圩; 朱洪亮 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1192/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵谦; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1021/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静 Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1470/210  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨华; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1134/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵谦; 潘教清; 周帆; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1800/181  |  提交时间:2009/06/11 |