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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Tianfeng;  Gao, Lizhen;  Lei, Wen;  Guo, Lijun;  Yang, Tao;  Chen, Yonghai;  Wang, Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tianfeng Li, Lizhen Gao, Wen Lei, Lijun Guo, Huayong Pan, Tao Yang, Yonghai Chen, Zhanguo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Yang T (Yang Tao);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Gu;  YX (Gu Yong-Xian);  Liu Y (Liu Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-Fei);  Gu YX (Gu Yong-Xian);  Ma;  WQ (Ma Wen-Quan);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：907/203  |  提交时间：2014/11/24