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| 离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 王浩林 Adobe PDF(7785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:974/130  |  提交时间:2016/07/07 六方氮化硼 二维原子晶体 离子束溅射沉积 衬底 大尺寸晶畴 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: H.L. Kang; J.B. Lao; Z.P. Li; W.Q. Yao; C. Liu; J.Y. Wang Adobe PDF(2037Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:292/1  |  提交时间:2017/03/10 |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 王火雷 Adobe PDF(4366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/162  |  提交时间:2015/05/27 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: X. Liu; X.W. Zhang; J.H. Meng; Z.G. Yin; L.Q. Zhang; H.L. Wang; J.L. Wu Adobe PDF(1530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:299/2  |  提交时间:2016/03/23 |
| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(416Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/201  |  提交时间:2012/09/09 |
| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1256/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1452/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种增强有机聚合物太阳能电池效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102394272A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张兴旺; 高红丽; 谭海仁; 尹志岗; 吴金良 Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1517/222  |  提交时间:2012/09/09 |
| 双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010269026.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 梁松; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1756/261  |  提交时间:2011/08/31 |