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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  梁平;  胡颖;  刘俊岐;  刘峰奇;  王利军;  张锦川;  王涛;  姚丹阳;  王占国
Adobe PDF(276Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：765/95  |  提交时间：2014/11/17