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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. L. HU;  L. B. SUN;  BEIBEI ZENG;  L. S. WANG;  Z. G. YU;  S. A. BAI;  S. M. YANG;  L. X. ZHAO;  Q. LI;  M. QIU;  R. Z. TAI;  H. J. FECHT;  J. Z. JIANG;  D. X. ZHANG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Y;  Wang, G;  Yang, HC;  An, TL;  Chen, MJ;  Yu, F;  Tao, L;  Yang, JK;  Wei, TB;  Duan, RF;  Sun, LF
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma J (Ma, Jun);  Ji XL (Ji, Xiaoli);  Wang GH (Wang, Guohong);  Wei XC (Wei, Xuecheng);  Lu HX (Lu, Hongxi);  Yi XY (Yi, Xiaoyan);  Duan RF (Duan, Ruifei);  Wang JX (Wang, Junxi);  Zeng YP (Zeng, Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yang FH (Yang, Fuhua);  Wang C (Wang, Chao);  Zou G (Zou, Gang)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨其长;  徐志刚;  陈弘达;  泮进明;  魏灵玲;  刘文科;  周泓;  刘晓英;  宋昌斌
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei T. B.);  Hu Q (Hu Q.);  Duan RF (Duan R. F.);  Wei XC (Wei X. C.);  Yang JK (Yang J. K.);  Wang JX (Wang J. X.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang GH (Wang G. H.);  Li JM (Li J. M.);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨华;  王晓峰;  阮军;  王国宏;  曾一平
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人:  谢海忠;  张扬;  杨华;  李璟;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-27, 2013-03-27
发明人:  谢海忠;  卢鹏志;  耿雪妮;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：873/100  |  提交时间：2014/10/24