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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Y.F.;  Sun, J.D.;  Zhou, Y.;  Tan, R.B.;  Zeng, C.H.;  Xue, W.;  Qin, H.;  Zhang, B.S.;  Wu, D.M.,;  Wu, D. M.(dmwu2008@sinano.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J (Zheng J.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Zhang LZ (Zhang L. Z.);  Wang W (Wang W.);  Xue CL (Xue C. L.);  Cheng BW (Cheng B. W.);  Yu JZ (Yu J. Z.);  Guo HQ (Guo H. Q.);  Wang QM (Wang Q. M.)
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1394/110  |  提交时间：2011/08/30