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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1227/312
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提交时间:2010/03/08
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1590/230
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1402/186
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提交时间:2009/06/11
一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(765Kb)
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浏览/下载:1342/191
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提交时间:2009/06/11
一种硅基电光材料
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵雷
;
左玉华
;
王启明
Adobe PDF(475Kb)
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浏览/下载:1233/174
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提交时间:2009/06/11
一种用于产生毫米波的集成芯片
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵玲娟
;
谢红云
;
王路
;
朱洪亮
;
王圩
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
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浏览/下载:1491/218
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1331/167
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提交时间:2009/06/11
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
赵永梅
;
刘兴昉
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浏览/下载:1190/158
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周立
;
陈涌海
;
王占国
;
赵有文
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浏览/下载:1038/339
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提交时间:2010/11/23