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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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用于电吸收调制激光器封装用的热沉
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
侯广辉
;
刘宇
;
祝宁华
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浏览/下载:1279/219
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提交时间:2009/06/11
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang, N
;
Li, N
;
Liu, ZL
;
Yu, F
;
Li, GH
;
Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1324/227
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提交时间:2010/03/09
Soi
Mosfet
无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖雪芳
;
杨国华
;
归强
;
王国宏
;
马晓宇
;
陈朝
;
陈良惠
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浏览/下载:1340/478
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李欢
;
牛萍娟
;
杨广华
;
李俊一
;
张宇
;
常旭
;
张秀乐
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浏览/下载:1435/641
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, NH (Zhu, Ning Hua)
;
Hou, GH (Hou, Guang Hui)
;
Huang, HP (Huang, Heng Pei)
;
Xu, GZ (Xu, Gui Zhi)
;
Zhang, T (Zhang, Tao)
;
Liu, Y (Liu, Yu)
;
Zhu, HL (Zhu, Hong Liang)
;
Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan)
;
Wang, W (Wang, Wei)
;
Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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浏览/下载:903/256
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
侯广辉
;
温继敏
;
黄亨沛
;
王欣
;
刘宇
;
谢亮
;
祝宁华
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浏览/下载:1555/616
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提交时间:2010/11/23
一种新型键合用晶向对准装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
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浏览/下载:1530/184
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提交时间:2009/06/11
一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈良惠
;
郑婉华
;
杨国华
;
何国荣
;
王玉平
;
曹青
;
郭良
;
林学春
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浏览/下载:1284/182
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提交时间:2009/06/11
铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
林涛
;
江李
;
陈芳
;
刘素平
;
潭满清
;
王国宏
;
韦欣
;
马骁宇
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浏览/下载:1378/173
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song YP
;
Wang PW
;
Xu XY
;
Wang Z
;
Li GH
;
Yu DP
;
Yu, DP, Peking Univ, Dept Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: ypsong@pku.edu.cn
;
yudp@pku.edu.cn
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浏览/下载:1452/518
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提交时间:2010/04/11