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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
刘剑 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2004 [2]
2002 [1]
1999 [1]
语种
英语 [5]
出处
2004 7TH I... [2]
2008 IEEE ... [1]
MEMS/MOEMS... [1]
PHOTONICS ... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [2]
资助机构
Chinese In... [2]
IEEE. [1]
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Nan... [1]
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Fabrication and Investigation of High Efficiency Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Zhang YX
;
Liao ZY
;
Sun Y
;
Chen WX
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Optimization
High performance resonant tunneling diode on a new material structure
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Wang JL
;
Liu ZL
;
Wang LC
;
Zeng YP
;
Yang FH
;
Bai YX
;
Wang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1295/245
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提交时间:2010/03/29
Resonant Tunneling Diode
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
4h-sic
Lpcvd Homoepitaxial Growth
Thermal Oxidization
Mos Structures
Hot-wall Cvd
Fabrication of 1.3 mu m Si-based MEMS tunable optical filter
会议论文
MEMS/MOEMS TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, 4928, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 17-18, 2002
作者:
Zuo YH
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Mao RW
;
Luo LP
;
Gao JH
;
Bai YX
;
Wang LC
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zuo YH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Fabry-perot
Tunable Filter
Surface Micromaching
Cavity
Photoluminescence characteristics of GaAs/AlGaAs quantum dot arrays fabricated by dry and dry-wet etching
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Wang XH
;
Song AM
;
Liu J
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Li CF
;
Li YX
;
Yu JZ
;
Wang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Gaas/algaas
Quantum Dot Array
Etching Method
Photoluminescence
Wires