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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
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会议论文 [12]
发表日期
2011 [1]
2005 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [3]
1998 [4]
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JOURNAL OF... [2]
1998 5TH I... [1]
APOC 2001:... [1]
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Optoelectr... [1]
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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薄膜太阳能电池的研究进展
会议论文
, none, 2011
作者:
梁骏吾
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提交时间:2014/05/16
Tandem electroabsorption modulators integrated with DFB laser by ultra-low-pressure selective-area-growth MOCVD for 10 GHz optical short pulse generation - art. no. 60200O
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhou, GT
;
Wu, J
;
Wang, LF
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1597/337
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提交时间:2010/03/29
Selective-area Growth
Ultra-low-pressure
Integrated Optoelectronics
Optical Pulse Generation
Ring Laser
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
APOC 2003:ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS; MATERIALS, ACTIVE DEVICES, AND OPTICAL AMPLIFIERS, PTS 1 AND 2, 5280, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 04-06, 2003
作者:
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
;
Ying-Qiang X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1732/495
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Sio2 Encapsulation
Rapid-thermal-annealing
Nitrogen Reorganization
Molecular-beam Epitaxy
Optical-properties
Mu-m
中国半导体硅材料发展战略研究-中国工程院咨询报告
会议论文
, none, 2002
作者:
梁骏吾
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浏览/下载:1425/50
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提交时间:2014/05/16
1.3 mu m GaInNAs/GaAs multiple-quantum-wells resonant-cavity-enhanced photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhang W
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang RK
;
Lin YW
;
Wu RG
;
Zhang W Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1201/0
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提交时间:2010/10/29
Gainnas
Photodetector
Resonant Cavity Enhanced
High Speed Property
Molecular-beam Epitaxy
Schottky Photodiodes
Performance
Efficiency
Operation
Bandwidth
Design
Si
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1350/219
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
;
Li LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1527/268
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Defects
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Gaas
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1506/316
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yan XJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Xu GY
;
Zhou F
;
Ma CH
;
Wang XJ
;
Tian HL
;
Zhang JY
;
Wu RH
;
Wang QM
;
Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1671/496
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提交时间:2010/10/29
Semi-insulating
Fe-doped
Mocvd
High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures
会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 256, NIJMEGEN, NETHERLANDS, AUG 10-14, 1998
作者:
Wang YJ
;
Jiang ZX
;
McCombe BD
;
Peeters FM
;
Wu XG
;
Hai GQ
;
Eustis TJ
;
Schaff W
;
Wang YJ Florida State Univ Natl High Magnet Field Lab Tallahassee FL 32310 USA. 电子邮箱地址: wang@magnet.fsu.edu
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浏览/下载:1611/284
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提交时间:2010/11/15
Cyclotron Resonance
Electron-phonon Interaction
Electron-electron Interaction
High Magnetic Fields
Exchange Enhancement
Gaas
Heterostructures
Gas
Limit
Heterojunctions
Polarons
Modes
Level