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| 两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1497/207  |  提交时间:2011/08/31 |
| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠 Adobe PDF(624Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/140  |  提交时间:2011/08/31 |
| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2229/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:654/88  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07 发明人: 郭晓璐; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/112  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种II型III-V族量子点材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31 发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:765/95  |  提交时间:2014/11/17 |
| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/104  |  提交时间:2014/10/31 |
| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1392/77  |  提交时间:2014/10/31 |
| 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 李琼; 马文全; 张艳华; 黄建亮 Adobe PDF(617Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:943/96  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 崔凯; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1135/117  |  提交时间:2014/11/17 |