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| 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张书明 ; 刘宗顺; 杨辉
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| 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李德尧; 张书明; 杨辉; 梁俊吾
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| 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李丙乾; 张书明; 杨辉
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| 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨辉; 张书明; 王良臣
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 杨辉
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| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241546.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明; 朱建军; 王辉; 杨辉
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| 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084158.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 季莲; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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