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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
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期刊论文
作者:
Zhang Z
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Liu B
;
Li M
;
Fu DY
;
Fang HN
;
Xiu XQ
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
;
Zhang BP Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: bzhang@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
Growth behavior of AlInGaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Sendai, JAPAN, MAY 21-24, 2008
作者:
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
;
Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China.
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浏览/下载:2367/416
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提交时间:2010/03/09
Scanning Electron Microscope
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: jykang@xmu.edu.cn
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浏览/下载:895/282
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提交时间:2010/04/11
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
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浏览/下载:1530/288
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提交时间:2010/03/29
Defects
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chang YQ
;
Chen Y
;
Yu DP
;
Fang ZL
;
Li GH
;
Yang FH
;
Chang, YQ, Peking Univ, Dept Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: cyq@pku.edu.cn
;
chenyizhi@163.com
;
yudp@pku.edu.cn
;
fung@red.semi.sc.cn
;
ghli@red.semi.ac.cn
;
fhyang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1015/291
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
;
Han, HX
;
Li, GH
;
Sou, IK
;
Ge, WK
;
Fang, ZL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:925/223
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma, BS
;
Wang, XD
;
Su, FH
;
Fang, ZL
;
Ding, K
;
Niu, ZC
;
Li, GH
;
Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: m_bs@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:910/315
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chang YQ
;
Yu DP
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Zhang Y
;
Chen YF
;
Yang FH
;
Yu, DP, Peking Univ, Dept Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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提交时间:2010/03/09
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-absorption
Zns-te
Transition
Edge