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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu WG;  Chang K;  Jiang DS;  Li YX;  Zheng HZ;  Liu HC;  Wu WG,Univ Calif Los Angeles,Dept Elect Engn,Los Angeles,CA 90095 USA.
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Effect of carrier relaxation and emission on photoluminescence of InAs quantum dots 会议论文
PROCEEDINGS OF THE FIFTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON QUANTUM CONFINEMENT: NANOSTRUCTURES, 98 (19), BOSTON, MA, NOV 02-05, 1998
作者:  Zhu HJ;  Wang ZM;  Sun BQ;  Feng SL;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：860/0  |  提交时间：2010/10/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YT;  Zhuang Y;  Ma WQ;  Wang W;  Yang XP;  Chen ZG;  Jiang DS;  Zheng HZ;  Wang YT,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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