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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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一种应用于无源射频身份识别系统的电荷泵电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  贾海珑;  倪卫宁;  石寅
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绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  贾亮;  刘育梁
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu GH;  Chen YH;  Liu Y;  Jia CH;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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A Complex BPF with On Chip Auto-tuning Architecture for Wireless Receivers 会议论文
2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATION SYSTEMS (ICCS), Guangzhou, PEOPLES R CHINA, NOV 19-21, 2008
作者:  Chen FX;  Ma HP;  Chen B;  Shi Y;  Lin M;  Jia HL;  Chen, FX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Complex Filter  
A 5.6-mW Power Dissipation CMOS Frequency Synthesizer for L1/L2 Dual-Band GPS Application 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Jia HL;  Ren T;  Lin M;  Chen FX;  Shi Y;  Dai FF;  Jia, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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