绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法
贾亮; 刘育梁
2008-06-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-12-01
语种中文
申请号200610144302
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4037
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
贾亮,刘育梁. 绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法[P]. 2008-06-04.
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