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δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  魏鸿源;  刘祥林;  张攀峰;  焦春美;  王占国
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1300/138  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BL;  Sun GS;  Guo Y;  Zhang PF;  Zhang RQ;  Fan HB;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang BL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zhangbaoli@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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