中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  石岩;  宋国峰;  郑婉华;  陈良惠
Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1491/205  |  提交时间：2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1249/171  |  提交时间：2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/176  |  提交时间：2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1275/193  |  提交时间：2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1115/158  |  提交时间：2009/06/11
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1403/182  |  提交时间：2009/06/11
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
Adobe PDF(960Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1570/198  |  提交时间：2009/06/11
利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  宋国锋;  石岩;  郑婉华;  陈良惠
Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1335/170  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, SK (Wang, Shi-Kuan);  Jiao, HJ (Jiao, Hujun);  Li, F (Li, Feng);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Wang, SK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：867/286  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  江鹏飞;  周燕;  谢福增
Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：857/271  |  提交时间：2010/11/23