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| 多功能半导体晶片键合装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 石岩; 宋国峰; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1551/205  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1320/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1376/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1528/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李路; 刘峰奇; 刘俊岐; 郭瑜; 周华兵; 梁凌燕; 吕小晶 Adobe PDF(960Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1638/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨国华; 何国荣; 宋国锋; 石岩; 郑婉华; 陈良惠 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1398/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 江鹏飞; 周燕; 谢福增 Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:857/271  |  提交时间:2010/11/23 |