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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Ma XY;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangjun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, J, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Ma XY;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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Quantum Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建伟;  李树深;  夏建白
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张燕;  龚海梅;  白云;  陈亮;  许金通;  汤英文;  游达;  赵德刚;  郭丽伟;  李向阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞炬;  王鹏;  彭长涛
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