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竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
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模式识别专用神经网络计算机系统及应用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王守觉;  李卫军;  赵顾良;  孙华
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湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
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水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
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利用温度变化监测液氮流速的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙永伟
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利用光掩模板作无源对准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  唐君;  申荣铉;  孙增辉;  贾九春
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面发射激光器同轴封装用的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建伟;  祝宁华
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与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛陆虹;  李伟;  陈弘达;  高鹏;  孙增辉;  陈永权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo L;  Hou W;  Zhang HB;  Sun ZP;  Cui DF;  Xu ZY;  Wang YG;  Ma XY;  Guo, L, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: guolinbj@yahoo.com
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三维空间有序的自组织量子点阵列的MBE生长及其红外特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  孙永伟
Adobe PDF(3367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：931/18  |  提交时间：2009/04/13