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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Li GH;  Chen W;  Su, FH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Chen Y;  Fang ZL;  Ma BS;  Su FH;  Ding K;  Li, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang XD;  Luo JW;  Su FH;  Fang ZL;  Ding K;  Niu ZC;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou BQ;  Liu FZ;  Zhu MF;  Gu JH;  Zhou YQ;  Liu JL;  Dong BZ;  Li GH;  Ding K;  Zhou, BQ, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, Beijing 100039, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhoubq@mails.gscas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu, JH;  Zhou, YQ;  Zhu, MF;  Li, GH;  Kun, D;  Zhou, BQ;  Liu, FZ;  Liu, JL;  Zhang, QF;  Zhou, YQ, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: yqzhou@gscas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  李国华;  CHEN Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  陈晔;  方再利;  马宝珊;  苏付海;  丁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韦文生;  王天民;  张春熹;  李国华;  卢励吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谷锦华;  周玉琴;  朱美芳;  李国华;  丁琨;  周炳卿;  刘丰珍;  刘金龙;  张群芳
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