SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体低维结构的压力光谱研究
李国华; 陈晔; 方再利; 马宝珊; 苏付海; 丁琨
2005
Source Publication红外与毫米波学报
Volume24Issue:3Pages:174-178
Abstract研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98 meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17 meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与ZnS体材料的带隙压力系数相同.表明Cu引入的受主能级具有浅受主的某些特点.测得ZnS:Eu纳米粒子中Eu发光峰的压力系数为24.1meV/GPa,与晶体场理论的预计不同.可能和Eu的激发态与ZnS导带间的相互作用有关.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1959695
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17105
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李国华,陈晔,方再利,等. 半导体低维结构的压力光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):174-178.
APA 李国华,陈晔,方再利,马宝珊,苏付海,&丁琨.(2005).半导体低维结构的压力光谱研究.红外与毫米波学报,24(3),174-178.
MLA 李国华,et al."半导体低维结构的压力光谱研究".红外与毫米波学报 24.3(2005):174-178.
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