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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
作者
赵德刚 [2]
张书明 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2003 [2]
2001 [2]
2000 [1]
语种
英语 [5]
出处
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA E-... [1]
PROCEEDING... [1]
PROCEEDING... [1]
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Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate
会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:
Sun YP
;
Shen XM
;
Zhang ZH
;
Zhao DG
;
Feng ZH
;
Fu Y
;
Zhang SN
;
Yang H
;
Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Wafer Bunding
Cubic Gan
Light-emitting-diodes
Field-effect Transistor
Single-crystal Gan
Microwave Performance
Mirror
Junction
Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lan Q
;
Niu ZC
;
Zhou DY
;
Kong YC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Natl Lab Superlattices Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1244/218
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提交时间:2010/11/15
Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1402/0
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提交时间:2010/10/29
Molecular Beam Epitaxy
Ingaas Islands
Photolumineseence
Line-width
1.3 Mu-m
Inas/gaas Quantum Dots
Optical-properties
Cap Layer
Gaas
Luminescence
Strain
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1306/221
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提交时间:2010/11/15
Crystal Morphology
Quantum Dots
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconducting Indium Gallium Arsenide
1.35 Mu-m
Gaas-surfaces
Photoluminescence
Islands
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1655/238
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe