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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
作者
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2004 [1]
2000 [2]
语种
英语 [3]
出处
2004 7TH I... [1]
COMPOUND S... [1]
PHYSICA E-... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
资助机构
Chinese In... [1]
Deutsch Fo... [1]
Japan Soc ... [1]
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收录类别:CPCI\-S
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Ning, J
;
Liu, ZL
;
Liu, HZ
;
Ge, YC
;
Ning, J, Chinese Acad Sci, Microelect R&D Ctr, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1157/186
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提交时间:2010/03/29
Silicon Capacitive Microphone
Oxidized Porous Silicon
Sacrificial Layer
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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浏览/下载:1210/237
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提交时间:2010/11/15
Inas/gaas Quantum Dots
Self-assembled Structure
Dlts
Pl
Band Offset
Energy-levels
Carrier Relaxation
Spectroscopy
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(448Kb)
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提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy